我国成功研制超分辨光刻装备

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我国成功研制超分辨光刻装备

　　11月29日，中科院光电所经过近7年艰苦攻关，完成国际上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备研制，其采用365纳米波长光源，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。为超材料/超表面、广义芯片领域的跨越式发展提供了制造工具。中新社供图